▼分子線エピタキシー（Molecular Beam Epitaxy: MBE） RIBER/MBE32P-NIT MBEとは？ MBE法とは超高真空中で結晶構成元素を別々のるつぼで加熱し，分子線を基板結晶上に供給することにより薄膜結晶をエピタキシャル成長させる技術です． RHEED像 特徴 MBEは，シャッタ制御や超高真空中で結晶成長を行うため，原子レベルでの薄膜制御が可能です． MBEに反射高エネルギー電子線回析（RHEED）が取り付けてあります．RHEEDは，結晶成長中またはその前後に成長表面の観察ができます．