▼研究テーマ ・�V−�W族化合物半導体多元薄膜のＭＢＥ成長と評価 ・ダイヤモンド結晶の物性評価 ▼研究概要 当研究室ではデバイス応用を目指した機能半導体材料に関した研究を行っている．具体的な研究テーマは下記のとおりである． １．�V−Ｖ族化合物半導体表面のＶ族フラックスを用いない高温表面クリーニング 　分子線エピタキシー（ＭＢＥ）の出現により原子レベルでの平坦性を持った超薄膜が作製可能となった．通常、このような超薄膜はGaAsやAlGaAs表面へ直接エピタキシャル成長されている．そのために、基板表面の平坦性や清浄度が薄膜の品質を大きく左右する．従来では，表面酸化膜を熱処理により除去する過程でこれらの基板表面から選択的にAsが抜け出てしまうと考えられていた．そのために、本来はできるだけクリーンに保たなければならない成長室内でAs分子線を表面に照射しながら，不純物ガスにより成長室内が汚染され，成長された薄膜中に不純物が混入してしまう．そこで、当研究室ではAs分子線を照射せずに前処理室内で行うことができる「Asなし高温表面クリーニング法」を開発した． 　本年はGaAs(311)面のAsなし高温表面クリーニングを試みた．その結果，従来法の場合より表面酸化膜の脱離温度が約80度低いこと，クリーニング後の表面構造がより平坦であることが判明した．また，元素結合分析装置の高分解な測定条件や微細構造評価装置の操作ノウハウを蓄積した．